Stage Caractérisation électrique et matérielle approfondie de l’espaceur à faible constante diélectrique
Commissariat à l’Énergie Atomique
Organisation The French Alternative Energies and Atomic Energy Commission (CEA) is a key player in research, development and innovation in four main areas :
Drawing on its widely acknowledged expertise, and thanks to its 16000 technicians, engineers, researchers and staff, the CEA actively participates in collaborative projects with a large number of academic and industrial partners.The CEA is established in ten centers spread throughout FranceReference 2024-33644Description de l’unitéVous faites partie d’un laboratoire multidisciplinaire intégré, travaillant aux côtés d’une équipe composée de 2/3 chercheurs permanents, explorant un large éventail d’applications de recherche.Position descriptionCategoryMicro and nano technologiesContractInternshipJob titleStage Caractérisation électrique et matérielle approfondie de l’espaceur à faible constante diélectriqueSubjectLe CEA-Leti, dans le cadre de l’European Chip Act, recherche un(e) stagiaire pour caractériser des matériaux d’espaceurs à faible permittivité, afin d’optimiser les performances des transistors FDSOI en réduisant les éléments parasites. Vous effectuez des caractérisations électriques et des mesures de stress CV sur des échantillons diélectriques, tout en collaborant avec une équipe pluridisciplinaire. Ce stage vous propose une opportunité de contribuer à un projet innovant, avec possibilité de poursuivre en thèse.Contract duration (months)3-6 moisJob descriptionDans le cadre de l’European Chip Act, le CEA-Leti s’engage à façonner l’avenir de l’électronique en développant une nouvelle génération de transistors grâce à l’architecture FDSOI. Vous êtes motivé(e) pour nous aider à relever des défis passionnants liés à la performance avancée de ces transistors. Vous avez l’opportunité de participer à un projet de pointe axé sur le développement de matériaux innovants, avec l’ambition de créer une technologie de premier plan en matière d’efficacité énergétique.Alors que nous repoussons les limites des transistors planaires à 10 nm et 7 nm, nous faisons face à d’importants défis physiques, en particulier la réduction des éléments parasites tels que la capacitance et la résistance d’accès, qui sont essentiels pour minimiser les pertes d’énergie et optimiser les performances. Le matériaux isolant utilisé pour les espaceurs jouent ici un rôle clé sur ces performances et de nombreux candidats ont été proposés pour remplacer les solutions conventionnelles avec de plus faible permittivité (SiN, SiCO, SiCON, SiCBN). Néanmoins leur intégration introduit également des défauts inhérents telles que la capture de charge ou présence d’états d’interface indésirables qui nuisent à la performances finale des transistors.Votre objectif est de mener une enquête approfondie et une caractérisation électrique (CV, IV, BTI, HCI,) du matériaux d’espaceur (interface, volume), en fournissant une analyse détaillée des performances du transistor et de ses mécanismes sous-jacents. Une caractérisation innovante par mesure de stress CV ultra-rapide sur des échantillons diélectriques sera également réalisée et la corrélation entre la performance de piégeage et les paramètres de dépôt utilisés dans leur fabrication sera établie. De plus, le candidat collaborera étroitement avec des experts pour contribuer au développement et à la caractérisation de nouveaux matériaux par analyse de surface et caractérisation des films minces (ellipsométrie, FTIR, XRR, XPS,).
Durant ce stage, vous acquérez de larges connaissances, couvrant les matériaux et processus microélectroniques, la conception intégrée analogique, tout en relevant le défi unique de la technologie FDSOI avancée à 7-10 nm. Vous collaborez avec des équipes pluridisciplinaires pour développer une compréhension approfondie des dispositifs FDSOI et analyser les mesures existantes.Rejoignez-nous en Stage !from Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l’intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d’organisation, rejoignez-nous!Position locationSiteGrenobleJob locationFrance, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)LocationGrenobleCandidate criteriaLanguagesEnglish (Fluent)Prepared diplomaBac+5 – Master 2Recommended trainingScience des matériaux, Physique des semi-conducteurs, MicroélectroniquePhD opportunityOuiRequesterPosition start date03/02/2025
Isère
Fri, 25 Oct 2024 07:43:02 GMT
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