Post-doctorant (H/F) : Contrôle du transport excitonique dans les dichalcogénures de métaux de transition 2D à partir de l’ingénierie de déformation
CNRS
Le stagiaire postdoctoral fera partie d’un projet visant à développer des moyens efficaces pour contrôler le flux excitonique et l’état de polarisation (propriétés de spin/vallée) dans les TMDs. En créant un gradient de déformation à l’aide de nano-structutres en silicium (réalisées au CEMES) sur lesquelles seront déposés différents types de monocouches de TMDs (au LPCNO), nous proposons de contrôler l’énergie des excitons en fonction de l’espace. Comme les excitons se déplacent vers la position spatiale où leur énergie est minimale, nous prévoyons de contrôler le transport de ces quasiparticules neutres dans des directions spécifiques sur de grandes distances. En outre, comme la déformation produit une anisotropie de déformation (anisotropie optique), le contrôle de la déformation nous donnera accès à l’état de polarisation de l’exciton pendant la propagation. Le projet étudiera les propriétés de transport des excitons en combinant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dépendante de la polarisation et du temps (au LPCNO) et la PL améliorée par les pointes (au CEMES).
ActivitésLe post-doctorant travaillera pendant 18 mois sur le projet, avec une forte contribution à la fabrication (exfoliation). Par conséquent, une expérience dans la fabrication d’hétérostructures 2D sera très appréciée. En outre, de solides connaissances en physique des semi-conducteurs et en optique sont requises.CompétencesExfolitation, spectroscopie optique, physique des semi-conducteurs, physique des matériaux 2DContexte de travailLa découverte de matériaux bidimensionnels (2D) (d’une épaisseur d’une monocouche atomique) a donné lieu à des propriétés physiques originales. Aujourd’hui, outre le graphène, plusieurs familles de matériaux 2D sont intensivement étudiées : les semi-conducteurs (SC) basés sur les dichalcogénures de métaux de transition (TMD), les supraconducteurs, les matériaux magnétiques 2D … Dans ce contexte, le développement de nouveaux dispositifs spintroniques / vallée-troniques (c’est-à-dire utilisant le spin / vallée comme degré de liberté pour transporter l’information) basés sur des hétérostructures de semi-conducteurs 2D nécessite la capacité d’injecter et de transporter des porteurs polarisés en spin.Contraintes et risquesLe travail réalisé dans deux laboratoires voisins situés à Toulouse, dans le sud de la France (LPCNO et CEMES). €2991 – 3417 per month
Toulouse
Sat, 06 Jul 2024 04:23:46 GMT
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