IR H/F – Matériaux de Mott à la nanoéchelle pour des systèmes neuromorphiques
CNRS
Les systèmes neuromorphiques sont très prometteurs pour réduire la consommation d’énergie et créer de nouvelles applications hors de portée des ordinateurs conventionnels. À ce jour, chaque neurone artificiel est composé de milliers de transistors. L’utilisation d’isolants de Mott, une classe de matériaux aux propriétés non linéaires fascinantes, pourrait réduire de manière significative la complexité du circuit, en réduisant le nombre de composants par neurone et par synapse à un seul.
Le présent projet postdoctoral vise à développer une écriture de circuit accessible, en balayant une pointe conductrice polarisée à l’échelle nanométrique. Cela a déjà été démontré par microscopie à effet tunnel (STM), et pourrait également être réalisé en utilisant un microscope à force atomique équipé d’une pointe conductrice (C-AFM). Une bonne compréhension et un contrôle des transitions électro-induites dans les matériaux de Mott (cristaux de GaTa4Se8 ou TaS2, films de V2O3 ou TaSe2) seront d’abord développés. L’objectif du projet est la réalisation de circuits neuromorphiques monolithiques complets par impulsion électrique à la surface des matériaux de Mott.
La bourse est financée par le CPER IMITECH.ActivitésDéveloppement de procédés par C-AFM et STM sur les semi-conducteurs de Mott.CompétencesUn doctorat en physique ou dans une discipline connexe et une expérience en physique de l’état solide sont requis. Le candidat F/H aura une expérience avérée dans tous les domaines suivants :– Microscopie et spectroscopie en champ proche STM/S
– Microscopie à force atomique conductrice C-AFM
– Systèmes électroniques fortement corrélés
€2875.89 per month
Villeneuve-d’Ascq, Nord
Tue, 23 Jul 2024 23:29:46 GMT
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